雙層石墨烯在垂直電場下帶隙可調(diào)，對于實(shí)現(xiàn)高性能石墨烯基半導(dǎo)體器件具有重要意義。A3尺寸雙層石墨烯生長工藝項(xiàng)目組的目標(biāo)就是發(fā)展穩(wěn)定、批量的制備工藝，實(shí)現(xiàn)均勻的雙層石墨烯的生長技術(shù)。

銅鎳合金襯底不僅打破了銅箔的上生長石墨烯的“自限制效應(yīng)”，而且具有優(yōu)越的催化活性，顯著提高了生長速度。因此，雙層石墨烯生長工藝項(xiàng)目組致力于在銅鎳合金襯底上生長雙層石墨烯。目前，項(xiàng)目組通過電鍍的方式能夠獲得不同鎳含量的銅鎳合金襯底，并通過參數(shù)調(diào)節(jié)獲得雙層石墨烯。后續(xù)，項(xiàng)目組將繼續(xù)優(yōu)化雙層石墨烯的覆蓋度和均勻性等指標(biāo)，進(jìn)一步推動A3尺寸雙層石墨烯制備技術(shù)的發(fā)展。